11. Introduction to Neuroscience II
제안 된 협상이 마무리되기 전에 관심있는 제 3 자와의 협의가 있어야한다. 이 협의는 막 시작된 것으로 램버스는 말했다.
2 월 미국 대법원의 사건을 상실한 이후 미국 연방 통상위원회 (US Federal Trade Commission)가 램버스 (Rambus)에 대한 반독점 소송을 기각한지 1 개월 후에 임시 합의가 이뤄졌다.
DC JEEC (Joint Electron Device Engineering Council) 표준 설정기구에 참여하는 과정에서 잘못한 것 "이라고 토머스 라벨 (Thomas Lavelle) 램버스 선임 부사장 겸 법률 고문은 밝혔다. 성명서. "이 제안 된 결의안을 채택하면 비용이 많이 드는 소송에 가담하는 것이 아니라 제품에 대한 미래의 사용을 위해 특허받은 혁신 기술에 대한 라이선스를 부여함으로써 모든 당사자가 앞으로 나아갈 수있는 새로운 플랫폼을 만들 수 있습니다."
인텔은 휴대용 장치에서 고해상도 비디오를 실행할 수있는 작은 칩을 만들려고합니다 인텔 연구원들은 휴대용 장치에서 고화질 1080P 비디오를 실행할 수있는 소형의 통합 칩을 만들려고 노력하고 있지만, 그렇게하려면 5 ~ 8 년이 걸릴 수 있습니다. 인텔의 동료 Shekhar Borkar [CQ]는 월요일 인터뷰에서 연구원들이 극복해야하는 주요 쟁점 중 하나는 프로세서의 전력 누출 문제였다. 인텔 엔지니어들은 전력 누출을 줄이기 위해 칩에서 그래픽 성능을 확장하면서 스마트 폰 및 기타 휴대용 장치에보다 풍부한 멀티미디어 컨텐츠를 제공하려고 노력하고 있습니다. 인텔은 여러 가지 스트림을 허용하는 온칩 가속기를 사용하여 그래픽 성능을 향상시키는 것을 목표로합니다. SIMD 또는 단일 명령, 다중 데이터라는 기술을 사용하여 그래픽 데이터를 동시에 처리 할 수 있습니다. 고화질 비디오 렌더링은 SIMD 기법을 사용하는 것이 가장 좋다고 Borkar는 말했다.
![인텔은 휴대용 장치에서 고해상도 비디오를 실행할 수있는 작은 칩을 만들려고합니다 인텔 연구원들은 휴대용 장치에서 고화질 1080P 비디오를 실행할 수있는 소형의 통합 칩을 만들려고 노력하고 있지만, 그렇게하려면 5 ~ 8 년이 걸릴 수 있습니다. 인텔의 동료 Shekhar Borkar [CQ]는 월요일 인터뷰에서 연구원들이 극복해야하는 주요 쟁점 중 하나는 프로세서의 전력 누출 문제였다. 인텔 엔지니어들은 전력 누출을 줄이기 위해 칩에서 그래픽 성능을 확장하면서 스마트 폰 및 기타 휴대용 장치에보다 풍부한 멀티미디어 컨텐츠를 제공하려고 노력하고 있습니다. 인텔은 여러 가지 스트림을 허용하는 온칩 가속기를 사용하여 그래픽 성능을 향상시키는 것을 목표로합니다. SIMD 또는 단일 명령, 다중 데이터라는 기술을 사용하여 그래픽 데이터를 동시에 처리 할 수 있습니다. 고화질 비디오 렌더링은 SIMD 기법을 사용하는 것이 가장 좋다고 Borkar는 말했다.](https://i.joecomp.com/components-2018/intel-looks-to-bring-hd-video-to-handheld-gadgets.png "인텔은 휴대용 장치에서 고해상도 비디오를 실행할 수있는 작은 칩을 만들려고합니다 인텔 연구원들은 휴대용 장치에서 고화질 1080P 비디오를 실행할 수있는 소형의 통합 칩을 만들려고 노력하고 있지만, 그렇게하려면 5 ~ 8 년이 걸릴 수 있습니다. 인텔의 동료 Shekhar Borkar [CQ]는 월요일 인터뷰에서 연구원들이 극복해야하는 주요 쟁점 중 하나는 프로세서의 전력 누출 문제였다. 인텔 엔지니어들은 전력 누출을 줄이기 위해 칩에서 그래픽 성능을 확장하면서 스마트 폰 및 기타 휴대용 장치에보다 풍부한 멀티미디어 컨텐츠를 제공하려고 노력하고 있습니다. 인텔은 여러 가지 스트림을 허용하는 온칩 가속기를 사용하여 그래픽 성능을 향상시키는 것을 목표로합니다. SIMD 또는 단일 명령, 다중 데이터라는 기술을 사용하여 그래픽 데이터를 동시에 처리 할 수 있습니다. 고화질 비디오 렌더링은 SIMD 기법을 사용하는 것이 가장 좋다고 Borkar는 말했다.")
SIMD는 이미 일부 그래픽 프로세서와 CPU에서 사용되고있다. 예를 들어 인텔은 1990 년대에 펜티엄 프로세서 용으로 소개 한 MMX 확장을 사용하여 SIMD를 사용했기 때문에 데스크톱에서 비디오를보다 잘 처리 할 수있었습니다.
수년 동안 반도체 회사는 실험적 메모리 유형으로 간주되는 PCM을 연구하고 있습니다. PCM은 원자가 재배치됨에 따라 상태를 변화시키는 유리와 같은 물질을 포함한다. 재료의 상태는 컴퓨팅에서 1과 0에 해당하므로 데이터를 저장하는 데 사용됩니다. Intel 및 Infineon Technologies를 포함한 많은 회사들이 PCM의 개발에 수년 동안 참여하여 크기를 줄이려고 노력하면서 속도와 저장 용량을 향상시킵니다. 지지자들은 PCM이 결국 휴대 기기에 사용되는 NAND 및 NOR 플래시 메모리 유형을 대체 할 수 있다고 주장했다. PCM 칩은 처음에는 휴대 기기와 같은 휴대 기기에서 사용하고 궁극적으로 전력 소비를 30 % 줄이고 40 삼성 전자의 기술 마케팅 책임자 인 Harry Yoon은 메모리 부분을 NOR 플래시에서 PCM으로 바꿀 때 "공간 축소"비율을 높이겠다고 말했다.
삼성은 512 메가 비트 PCM 칩을 생산하기 시작했다. 칩 생산은 고객 수요에 따라 증가 할 것입니다. PCM의 개발에 많은 추진력이 있지만, 메모리 유형은 여전히 연구되고 있으며, 모바일 장치의 기존 메모리 유형을 대체하는 데 수년이 걸릴 것으로 분석가들은 말합니다. 핸디는 "반도체 시장 조사 기관인 Objective Analysis의 애널리스트 인 짐 핸디 (Jim Handy)는"제조 공정에서 PCM이 실현 가능할 것으로 기대된다 "며" 라고 그는 말했다. 핸디에 따르면 현재 메모리 생산 공정은 34 나노 미터이고 공정은 10-12 나노 미터로 내려갈 필요가있다. PCM은 처음에는 스마트 폰과 같은 장치에서 NOR 플래시를 대체 할 수 있다고 애널리스트들은 말했다. Forward Insights의 애널리스트 인 Gregory Wong은 NOR와 비교하여 PCM이 더 빠른 데이터 액세스와 내구성을 제공한다고 전하면서, PCM은 또한 기존 메모리 유형에 비해 상당한 전력 절감
Toshiba, 64GB 플래시 메모리 발표; 도시바의 새로운 64GB 플래시 메모리 모듈은 현재의 휴대용 장치의 저장 용량을 두 배로 늘릴 수 있습니다. 월요일에 Toshiba는 새로운 64GB 플래시 메모리 모듈을 발표했습니다. 산업. 새로운 64GB NAND 플래시 모듈은 얇은 두께가 30 마이크로 미터에 불과하며 전용 컨트롤러를 장착하고 16 개의 32Gbit 칩을 포함하고있다. 이 메모리 모듈은 도시바의 32 나노 미터 공정을 사용하여 제조되었습니다.이 메모리 모듈은 다양한 휴대용 장치에 사용하도록 설계되었으며 2010 년 초에 새로운 모듈이 출시되면 새로운 포켓이 출시되기 훨씬 전에 오래 가지 않을 것입니다. iSuppli에 따르면 도시바는 현재 애플의 아이폰 3GS 용 플래시 공급 업체이다. 최근 소문에 따르면 내년 여름에 4 세대 아이폰이 출시 될 것이라는 암시가 나왔다. 애플이나 도시바가 논평하지는 않았지만 다음 아이폰은 64GB 플래시 메모리를 패킹 할 것이라는 논
미디어 스트리밍 및 백업용]